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          制造能力
          工藝制造

                 蘇州能訊高能半導體有限公司一直專注于針對先進的氮化鎵半導體制造技術的研究、創新與開發。通過多年的研發,能訊半導體擁有一整套有自主知識產權、國內領先、世界先進的氮化鎵半導體工藝制造技術。

                 先進、穩定、可靠的工藝技術在保證能訊半導體過硬的生產制造能力的同時,也確保了我們微波功率器件和電力電子器件產品卓越的性能及過硬的可靠性。

          Sub-micro Gate technology (stepper)-亞微米柵極技術:
                 能訊半導體自主研發的亞微米柵極技術包括:Stepper光刻,低損傷柵槽鈍化層刻蝕,柵極金屬沉積等。其具有高重復性、高成品率、低柵極損傷等特點,是氮化鎵微波功率器件最關鍵的技術之一。

          獨有的鈍化層技術:
                 高質量的鈍化層是提高氮化鎵器件耐壓性能,降低Dispersion效應的重要方法。

          襯底減薄VIA通孔技術:
                 能訊半導體自主開發的SiC襯底減薄和VIA通孔技術可有效地降低器件寄生電感,增大高頻增益,提高帶寬。

                 以上僅列舉了幾項較有特點的制造工藝技術。能訊半導體先進的、完整的氮化鎵半導體器件制造工藝是我們高質量產品的保障,也是產品不斷升級換代的基礎和源動力。

           

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