能訊半導體材料部門一直致力于氮化鎵材料、氮化鎵異質結HEMT結構材料外延生長的研究、開發與生產。由歐美歸國的資深材料生長專家帶領，依托擁有自主知識產權的專利技術及先進的材料生長、檢測設備，能訊半導體生長的氮化鎵材料，在物理（表征、缺陷密度等）及電學性能方面均處于世界領先水平。其在硅、藍寶石、碳化硅基生長的氮化鎵外延結構完全可以滿足微波功率器件及電力電子器件的應用需求。
